Magnetron sputtering of wide-bandgap molybdenum trioxide MoO3

Ensuring process controllability is one of the important parameters of magnetron sputtering technology. The deposition rate is the rate at which the film thickness grows as atoms from the target surface reach the substrate per minute. In general, the deposition rate ranges from 50 to 500 Å/min. The average RF and DC ion currents differ only slightly; the plasma is formed by electron ionization, which is produced by radio-frequency radiation. The substrate temperature is usually optimized to obtain the best texture. During pre-sputtering, oxygen is fed into the chamber to form molybdenum oxide, in particular to tune the MoO3 compound. The resulting molybdenum oxide films are interesting materials for a variety of applications.

Одним из важных параметров в технологии магнетронного распыления является обеспечение управляемости. Скорость осаждения — это скорость увеличения толщины пленки, образованной атомом. за минуту достигало подложки с целевой поверхности. В целом, скорость осаждения изменяется в диапазоне от 50 до 500 А/ми Средние значения ВЧ и постоянного тока ионных токов не сильно отличаются, где плазма образуется в результате электронной ионизации. Электронная ионизация осуществляется с помощью радиочастотного излучения. Температура подложки обычно оптимизируется в соответствии с наилучшей текстурой. В процессе предварительного распыления через камеру подается кислород для образования оксида молибдена. соединение, особенно для настройки соединения MoO3. Образовавшиеся пленки в соединения оксида молибдена представляют собой интересные материалы для различных целей.

Magnetron changlatish texnologiyasining muhim parametrlaridan biri jarayonning boshqariluvchanligini ta’minlashdir. O‘tqazish tezligi — nishon sirtidan uchib chiqqan atomlarning taglikka yetib borishi natijasida plyonka qalinligining bir daqiqada ortish tezligi. Umuman olganda, o‘tqazish tezligi 50 dan 500 Å/min gacha o‘zgaradi. Yuqori chastotali va o‘zgarmas tok rejimlarida ion toklarining o‘rtacha qiymatlari bir-biridan kam farq qiladi; plazma elektron ionlanish natijasida hosil bo‘ladi, elektron ionlanish esa radiochastotali nurlanish yordamida amalga oshiriladi. Taglik harorati odatda eng yaxshi tekstura olinadigan qilib optimallashtiriladi. Dastlabki changlatish jarayonida molibden oksidini hosil qilish, xususan, MoO3 birikmasini sozlash uchun kameraga kislorod beriladi. Hosil bo‘lgan molibden oksidi plyonkalari turli maqsadlar uchun qiziqarli materiallar hisoblanadi.